公司业务范围涵盖半导体设备PVD、刻蚀、薄膜沉积等核心工艺设备以及高端测试仪器。文章| 《财经》编辑部研究员周元|这是因为，中国目前无法生产7纳米及以下高端芯片的主要原因之一是无法从荷兰ASML公司进口用于生产高端芯片的EUV（极紫外）光刻机。只能依靠自主研发。因此，国产光刻机研发的任何干扰都容易引起高度关注。 10月15日至17日，湾区半导体产业生态博览会（以下简称“湾芯博览会”）将在深圳举办。本次Baychip展会上，最受关注的企业是深圳市新开来科技有限公司（以下简称“新开来”）。席恩凯莱成立于2021年，由深圳市国资委全资拥有。这家年轻的初创公司之所以受到特别关注，主要是因为市场有传言称新凯来正在开发用于生产7纳米及以下高端芯片的光刻机。新凯来不仅没有展示任何与光刻机相关的信息，事实上，截至本文发表时，新凯来从未在官网、发布会、技术展会等公共渠道明确承认自己有这项业务。国内公认的负责光刻机研发的公司是上海微电子装备（集团）股份有限公司（以下简称“上海微电子”）。用于制造90纳米芯片的干式DUV（深紫外）光刻机实现了量产。据证券时报报道，上海微电子ectronics的28纳米浸没式DUV光刻机也已进入产品验证阶段，但EUV（极紫外）光刻机正处于预研阶段（2025年中国国际产业博览会上，上海微电子首次公布EUV光刻机参数图），需要通过光源、光学系统等更多核心技术通过基础技术）。表：光刻机制造主要领域国产化现状 资料来源：华金证券 虽然不涉足光刻机，但新凯来正在挑战半导体设备领域的诸多“卡脖子”技术。本次Baychip展会，新凯来展示了刻蚀、薄膜去除、质检等六大类产品。旗下子公司旗云方（武汉旗云方科技有限公司）和万里言（深圳万里言科技有限公司）分别发布了EDA设计软件和超- 分别是高速示波器。新凯来的各主要产品系列均以中国名山命名，表达了打造中国半导体装备巅峰的愿望。 1．外延沉积（EPI）设备（峨眉山系列） EPI设备的功能是通过化学气相沉积（CVD）技术在晶圆表面生长一层原子级精度的单晶半导体材料（如硅、硅锗、碳化硅等），它直接决定了芯片的性能和可靠性。 EPI设备是半导体制造的主要“瓶颈”项目之一。技术壁垒和市场垄断堪比光刻机。全球一线EPI设备市场长期被美国应用材料公司（AMAT）和日本东京电子（Tel）垄断，占据总份额90%以上。研究与设计国内EPI设备的发展起步较晚。目前8英寸EPI设备性能已接近国际水平。主要代表厂商为北方华创，但12英寸kamEPI仍需依赖进口。据新凯来公布的信息，新凯来的EPI设备在8英寸外延工艺中膜厚均匀性达到±0.5%，与应用材料技术上同类设备处于同一水平。 2、原子层沉积（ALD）设备（阿里山系列） ALD设备就像一个纳米级的画家，专门为芯片制造创造原子级超薄、超均匀薄膜。它是前段工艺“薄膜去除”的主要环节，是先进工艺（7纳米及以下）实现精密结构的关键工具。全球ALD设备市场目前由荷兰先进半导体（ASM）和日本东京电子主导，其市场份额合计超过 60%。新型凯莱除膜设备“阿里山”系列共有三款产品。其中阿里山一号是12英寸高保形介质薄膜原子层去除设备。它配备了五边形平台和双腔顶部结构。涵盖了介质薄膜在先进逻辑/存储前、中、后台的应用场景。满足图形、超薄膜、填充超高长宽比的要求，并支持向未来先进节点演进。阿里山二号是12英寸介质刻蚀阻挡膜去除设备，阿里山三号是12英寸高深宽比金属栅原子层设备，均支持向先进节点演进。 3、物理放电去除设备（PVD）（普陀山系列） PVD设备的功能是通过物理过程，例如在晶圆表面沉积金属或介电材料。h 蒸发并形成关键结构，例如导电互连层和栅电极。薄膜的电阻率、均匀性和附着力直接决定芯片的电性能和可靠性。 PVD设备是半导体薄膜沉积领域的主要设备。技术限制主要集中在高功率溅射源设计和大面积均匀控制上。全球市场长期被美国应用材料垄断，其市场份额高达85%，特别是在12英寸先进工艺的铜联锁去除领域。国内PVD设备的研发起步较晚。 8英寸工艺流程是批量点胶。但12英寸先进铜PVD工艺相关设备主要依赖进口。国内涉足PVD设备的厂商有北方华创、拓晶科技、新开来等。其中，无rthern华创是国内PVD设备的领先企业；拓晶的技术主要集中在CVD（化学气相沉积）和ALD（原子层沉积），但在PVD领域也有涉足；公开资料显示，新凯来从普陀山一号到三号推出了三台PVD设备，分别针对平面金属薄膜、中心接触层和背沟道互连。例如，普陀山3号大量采用了电磁控制和高电离等离子体自电离技术，实现了高质量的金属孔填充。其平台架构可轻松应对多种应用场景，一代设计支持多代工艺。 4、刻蚀设备（武夷山系列） 刻蚀设备利用等离子体或化学试剂对晶圆表面进行选择。选择性蚀刻将光刻定义的图案精确地转移到薄膜或基材上，是“图案化”的主要工具在半导体制造领域。简而言之，蚀刻设备就像一把超精细的“雕刻刀”，将纳米级的电路图案雕刻到晶圆上。刻蚀设备是半导体设备第二大市场类别。在高深宽比蚀刻和茶原子层蚀刻 (ALE) 技术中可以看到技术限制。全球市场长期被日本LAM Research、应用材料公司（AMAT）和东京电子公司（TEL）垄断，三者合计占据90%以上的市场份额。国产刻蚀设备的研发进展迅速。成熟工艺（28纳米及以上）的介质刻蚀和金属刻蚀设备均为自主生产，主要由中微电子和北方华创供应。在7纳米及以下先进工艺领域，中国微电子公司取得重大突破，公开表示这一高规格ct比刻蚀设备已成功应用于国内外领先芯片厂商的5纳米及更先进芯片生产线上。凯莱蚀刻产品Etch（武夷山）新系列包括武夷山1号、3号、5号设备。其中，武夷山一号MAS为电容耦合等离子体（CCP）干法刻蚀设备，实现整个射频链路独立控制，多频三电平同步脉冲，满足三维复杂形貌控制需求；武夷山5号是自由基干法刻蚀设备，采用创新的气体均衡方案设计，大幅提高刻蚀选择比。 5、薄膜沉积CVD设备（长白山系列） 薄膜沉积设备通过CVD或PVD等工艺在晶圆表面生长或覆盖特定材料的薄膜层，用于形成晶圆的导电层、绝缘层等。r 芯片的保护层。 Madwhich表示，薄膜去除设备就像一台“纳米级喷涂机”，将不同功能的薄膜材料均匀地覆盖在晶圆上，为后续电路图形化奠定基础。薄膜去除设备是半导体设备市场最大的类别之一。技术约束主要集中在薄膜均匀性、控制控制和先进材料适应能力上。全球市场长期由美国应用材料、日本泛林半导体和东京电子主导，三者合计占据80%以上的市场份额。国内CVD设备研发近年来取得了显着进展。在介质薄膜和多晶硅沉积领域，28纳米及以上工艺成熟，实现国产化，主要由北方华创和拓晶科技提供；广告领域CVD设备7纳米及以下的先进工艺仍受制于人。凯莱CVD的新产品包括长白山一号和长白山三号。据新凯来公开资料显示，长白山一号具有单培养4站顶部架构，长白山三号全面覆盖逻辑阶段和金属存储线金属汽提场景。它具有创新的架构和领先的性能，与多种工艺高度集成，支持向未来先进节点演进。 6、质检设备（岳麓山系列） 质检设备的作用是通过光学、X射线等技术对整个晶圆制造过程进行缺陷检测和测量参数，包括膜厚、线宽、缺陷尺寸等，找出量产能力和成本。凯莱新型测量检测设备包括岳麓山系列、丹霞山系列、蓬莱山系列、莫干山系列功率检测用云台系列、天门山系列、沂蒙山系列、赤壁山系列、速率系列产品。据界面新闻了解，新凯来的测量检测设备实际上分为两类。一类是技术难度较高的光学检测产品，包括BFI缺陷的表观缺陷检测，该公司已基本完成客户侧验证，将于2025年进入量产。测量AFM、测量X射线XPS、CP（芯片探测）测试机等。据《南方日报》建设报道（返回搜狐​​前端查看更多）